ube和vbb的关系:光电二极管中的重要因素
在讨论光电二极管的性能时,ube和vbb都是非常重要的因素。ube指代管压,是指在正向偏置时,两端电压差;vbb指代反向电压,是指在反向偏置时,两端电压差。这两个因素对光电二极管的响应速度、灵敏度、线性度等都有直接影响。
首先是ube。在正向偏置时,由于电子从n型半导体向p型半导体移动,会遇到pn结上的势垒,这会使部分电子被散射,以致在达到pn结后对流汇合效率低下。这会导致管子前向阻抗较大,也就是前向电压高。在较高的前向电压下,光电二极管的响应速度和灵敏度都会下降。
而vbb的作用则与反向饱和电流有关。反向饱和电流通常定义为在一定的反向电压下,电流不再随电压增加而增加。这个点通常是在0.3V – 1.0V之间。当vbb大于该值时,反向电流就不再增加,这时候管子就进入“饱和”状态。饱和状态下,管子的响应速度较慢,动态范围也小。
总之,ube和vbb都是影响光电二极管性能的重要因素,在使用过程中需根据实际需求进行折中权衡。